liu.seSearch for publications in DiVA
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Matching precursor kinetics to afford a more robust CVD chemistry: a case study of the C chemistry for silicon carbide using SiF4 as Si precursor
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0001-8116-9980
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0001-9455-9558
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0002-6175-1815
Vise andre og tillknytning
2017 (engelsk)Inngår i: Journal of Materials Chemistry C, ISSN 2050-7526, E-ISSN 2050-7534, Vol. 5, s. 5818-5823Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
Abstract [en]

Chemical Vapor Deposition (CVD) is one of the technology platforms forming the backbone of the semiconductor industry and is vital in the production of electronic devices. To upscale a CVD process from the lab to the fab, large area uniformity and high run-to-run reproducibility are needed. We show by a combination of experiments and gas phase kinetics modeling that the combinations of Si and C precursors with the most well-matched gas phase chemistry kinetics gives the largest area of of homoepitaxial growth of SiC. Comparing CH4, C2H4 and C3H8 as carbon precursors to the SiF4 silicon precursor, CH4 with the slowest kinetics renders the most robust CVD chemistry with large area epitaxial growth and low temperature sensitivity. We further show by quantum chemical modeling how the surface chemistry is impeded by the presence of F in the system which limits the amount of available surface sites for the C to adsorb.

sted, utgiver, år, opplag, sider
Royal Society of Chemistry, 2017. Vol. 5, s. 5818-5823
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-137446DOI: 10.1039/c7tc00138jISI: 000403571200024OAI: oai:DiVA.org:liu-137446DiVA, id: diva2:1095799
Merknad

Funding agencies: Knut & Alice Wallenberg Foundation (KAW) project Isotopic Control for Ultimate Material Properties; Swedish Foundation for Strategic Research project SiC - the Material for Energy-Saving Power Electronics [EM11-0034]; Swedish Government Strategic Research

Tilgjengelig fra: 2017-05-16 Laget: 2017-05-16 Sist oppdatert: 2018-10-08bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

fulltext(2680 kB)75 nedlastinger
Filinformasjon
Fil FULLTEXT02.pdfFilstørrelse 2680 kBChecksum
Type fulltextMimetype application/pdf

Andre lenker

Forlagets fulltekst

Personposter BETA

Stenberg, PontusDanielsson, ÖrjanErdtman, EdvinSukkaew, PitsiriOjamäe, LarsJanzén, ErikPedersen, Henrik

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Stenberg, PontusDanielsson, ÖrjanErdtman, EdvinSukkaew, PitsiriOjamäe, LarsJanzén, ErikPedersen, Henrik
Av organisasjonen
I samme tidsskrift
Journal of Materials Chemistry C

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 123 nedlastinger
Antall nedlastinger er summen av alle nedlastinger av alle fulltekster. Det kan for eksempel være tidligere versjoner som er ikke lenger tilgjengelige

doi
urn-nbn

Altmetric

doi
urn-nbn
Totalt: 358 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf