liu.seSearch for publications in DiVA
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Techniques for Minimizing the Basal Plane Dislocation Density in SiC Epilayers to Reduce Vf Drift in SiC Bipolar Power Devices
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Vise andre og tillknytning
2006 (engelsk)Inngår i: Mater. Sci. Forum, Vol. 527-529, Trans Tech Publications , 2006, s. 141-Konferansepaper, Publicerat paper (Fagfellevurdert)
Abstract [en]

  

sted, utgiver, år, opplag, sider
Trans Tech Publications , 2006. s. 141-
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-41304Lokal ID: 55460OAI: oai:DiVA.org:liu-41304DiVA, id: diva2:262156
Konferanse
ICSCRM2005
Tilgjengelig fra: 2009-10-10 Laget: 2009-10-10 Sist oppdatert: 2010-12-15

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Person

Bergman, PederHallin, ChristerJanzén, Erik

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Bergman, PederHallin, ChristerJanzén, Erik
Av organisasjonen

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 211 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf