liu.seSearch for publications in DiVA
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Optical properties of GaNAs/GaAs structures
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0001-7155-7103
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0002-6405-9509
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.ORCID-id: 0000-0002-9840-7364
Vise andre og tillknytning
2001 (engelsk)Inngår i: Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology, ISSN 0921-5107, E-ISSN 1873-4944, Vol. 82, nr 1-3, s. 143-147Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
Abstract [en]

We review our recent results on optical characterization of MBE-grown GaNAs/GaAs quantum structures with N content up to 4.5%, by employing photoluminescence (PL), PL excitation, and time-resolved PL spectroscopies. The dominant PL mechanism has been determined as recombination of excitons trapped by potential fluctuations of the band edge, due to composition disorder and strain nonuniformity of the alloy. The estimated value of the localization potential is around 60 meV for the low-temperature grown structures and can be reduced by increasing the growth temperature or using post-growth rapid thermal annealing (RTA). © 2001 Elsevier Science S.A.

sted, utgiver, år, opplag, sider
2001. Vol. 82, nr 1-3, s. 143-147
Emneord [en]
Defect, Disorder, GaNAs, Localization, Photoluminescence, Recombination
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-47376DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00669-3OAI: oai:DiVA.org:liu-47376DiVA, id: diva2:268272
Tilgjengelig fra: 2009-10-11 Laget: 2009-10-11 Sist oppdatert: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Andre lenker

Forlagets fulltekst

Personposter BETA

Buyanova, Irina A.Chen, WeiminPozina, GaliaMonemar, Bo

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Buyanova, Irina A.Chen, WeiminPozina, GaliaMonemar, Bo
Av organisasjonen
I samme tidsskrift
Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetric

doi
urn-nbn
Totalt: 202 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf