Investigation of an ion-implantation induced high temperature persistent intrinsic defect in SiC 2001 (engelsk)Inngår i: Materials Science Forum, Vols. 353-356, 2001, Vol. 353-3, s. 377-380Konferansepaper, Publicerat paper (Fagfellevurdert)

Abstract [en]

We report a study of the D-II defect spectrum in 6H SiC using different photoluminescence techniques. The spectrum is proposed to be the result of bound exciton recombination at isoelectronic centers.

sted, utgiver, år, opplag, sider

2001. Vol. 353-3, s. 377-380

Emneord [en]

D-II, persistent defects, photoluminescence, time-resolved photoluminescence

HSV kategori

Identifikatorer

URN: urn:nbn:se:liu:diva-49269OAI: oai:DiVA.org:liu-49269DiVA, id: diva2:270165

Konferanse

ECSCRM2000

Tilgjengelig fra: 2009-10-11 Laget: 2009-10-11 Sist oppdatert: 2014-10-08

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Person

Carlsson, FredrikHenry, AnneJanzén, Erik

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør

Carlsson, FredrikHenry, AnneJanzén, Erik

Av organisasjonen

Om emnet

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle ScholarTotalt: 77 treff