liu.seSearch for publications in DiVA
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Macrodefects in cubic silicon carbide crystals
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0003-3203-7935
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Vise andre og tillknytning
2010 (engelsk)Inngår i: Materials Science Forum, Vols. 645-648, Transtec Publications; 1999 , 2010, Vol. 645-648, s. 375-378Konferansepaper, Publicerat paper (Fagfellevurdert)
Abstract [en]

Different sublimation growth conditions of 3C-SiC approaching a bulk process have been investigated with the focus on appearance of macrodefects. The growth rate of 3C-SiC crystals grown on 6H-SiC varied from 380 to 460 mu m/h with the thickness of the crystals from 190 to 230 mu m, respectively. The formation of macrodefects with void character was revealed at the early stage of 3C-SiC crystal growth. The highest concentration of macrodefects appears in the vicinity of the domain in samples grown under high temperature gradient: and fastest temperature ramp up. The formation of macrodefects was related to carbon deficiency which appear due to high Si/C ratio which is used to enable formation of the 3C-SiC polytype.

sted, utgiver, år, opplag, sider
Transtec Publications; 1999 , 2010. Vol. 645-648, s. 375-378
Emneord [en]
3C-SiC crystals; sublimation epitaxy; voids
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-58211DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.375ISI: 000279657600089OAI: oai:DiVA.org:liu-58211DiVA, id: diva2:338106
Konferanse
ICSCRM2009
Tilgjengelig fra: 2010-08-10 Laget: 2010-08-09 Sist oppdatert: 2015-03-06

Open Access i DiVA

fulltext(208 kB)421 nedlastinger
Filinformasjon
Fil FULLTEXT01.pdfFilstørrelse 208 kBChecksum SHA-512
fece08feae2a07d22619c8d67abffcc4758744d17edaf942b3f556fcf4c8d45f435fff85c223384fb6004323756261576b2e9d846cdb899a5c46c61fc300f04a
Type fulltextMimetype application/pdf

Andre lenker

Forlagets fulltekst

Personposter BETA

Jokubavicius, ValdasPalisaitis, JustinasVasiliauskas, RemigijusYakimova, RositsaSyväjärvi, Mikael

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Jokubavicius, ValdasPalisaitis, JustinasVasiliauskas, RemigijusYakimova, RositsaSyväjärvi, Mikael
Av organisasjonen

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 421 nedlastinger
Antall nedlastinger er summen av alle nedlastinger av alle fulltekster. Det kan for eksempel være tidligere versjoner som er ikke lenger tilgjengelige

doi
urn-nbn

Altmetric

doi
urn-nbn
Totalt: 317 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf