liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Matching precursor kinetics to afford a more robust CVD chemistry: a case study of the C chemistry for silicon carbide using SiF4 as Si precursor
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0001-8116-9980
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0001-9455-9558
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0002-6175-1815
Visa övriga samt affilieringar
2017 (Engelska)Ingår i: Journal of Materials Chemistry C, ISSN 2050-7526, E-ISSN 2050-7534, Vol. 5, s. 5818-5823Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Chemical Vapor Deposition (CVD) is one of the technology platforms forming the backbone of the semiconductor industry and is vital in the production of electronic devices. To upscale a CVD process from the lab to the fab, large area uniformity and high run-to-run reproducibility are needed. We show by a combination of experiments and gas phase kinetics modeling that the combinations of Si and C precursors with the most well-matched gas phase chemistry kinetics gives the largest area of of homoepitaxial growth of SiC. Comparing CH4, C2H4 and C3H8 as carbon precursors to the SiF4 silicon precursor, CH4 with the slowest kinetics renders the most robust CVD chemistry with large area epitaxial growth and low temperature sensitivity. We further show by quantum chemical modeling how the surface chemistry is impeded by the presence of F in the system which limits the amount of available surface sites for the C to adsorb.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Royal Society of Chemistry, 2017. Vol. 5, s. 5818-5823
Nationell ämneskategori
Kemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-137446DOI: 10.1039/c7tc00138jISI: 000403571200024OAI: oai:DiVA.org:liu-137446DiVA, id: diva2:1095799
Anmärkning

Funding agencies: Knut & Alice Wallenberg Foundation (KAW) project Isotopic Control for Ultimate Material Properties; Swedish Foundation for Strategic Research project SiC - the Material for Energy-Saving Power Electronics [EM11-0034]; Swedish Government Strategic Research

Tillgänglig från: 2017-05-16 Skapad: 2017-05-16 Senast uppdaterad: 2018-10-08Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(2680 kB)72 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT02.pdfFilstorlek 2680 kBChecksumma
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Stenberg, PontusDanielsson, ÖrjanErdtman, EdvinSukkaew, PitsiriOjamäe, LarsJanzén, ErikPedersen, Henrik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Stenberg, PontusDanielsson, ÖrjanErdtman, EdvinSukkaew, PitsiriOjamäe, LarsJanzén, ErikPedersen, Henrik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska fakultetenKemi
I samma tidskrift
Journal of Materials Chemistry C
Kemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 120 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 354 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf