liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Electrical characterization of high k-dielectrics for 4H-SiC MIS devices
Univ Iceland, Iceland; Univ Educ Lahore, Pakistan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Chalmers Univ Technol, Sweden.
Univ Iceland, Iceland.
Visa övriga samt affilieringar
2019 (Engelska)Ingår i: Materials Science in Semiconductor Processing, ISSN 1369-8001, E-ISSN 1873-4081, Vol. 98, s. 55-58Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We report promising results regarding the possible use of AlN or Al2O3 as a gate dielectric in 4H-SiC MISFETs. The crystalline AlN films are grown by hot wall metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) at 1100 degrees C. The amorphous Al2O3 films are grown by repeated deposition and subsequent low temperature (200 degrees C) oxidation of thin Al layers using a hot plate. Our investigation shows a very low density of interface traps at the AlN/4H-SiC and the Al2O3/4H-SiC interface estimated from capacitance-voltage (CV) analysis of MIS capacitors. Current-voltage (IV) analysis shows that the breakdown electric field across the AlN or Al2O3 is similar to 3 MV/cm or similar to 5 MV/cm respectively. By depositing an additional SiO2 layer by plasma enhanced chemical vapor deposition at 300 degrees C on top of the AlN or Al2O3 layers, it is possible to increase the breakdown voltage of the MIS capacitors significantly without having pronounced impact on the quality of the AlN/SiC or Al2O3/SiC interfaces.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
ELSEVIER SCI LTD , 2019. Vol. 98, s. 55-58
Nyckelord [en]
Interface traps; AlN/4H-SiC interface; Al2O3/4H-SiC interface; MIS structure
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-156882DOI: 10.1016/j.mssp.2019.03.025ISI: 000465188500009OAI: oai:DiVA.org:liu-156882DiVA, id: diva2:1318858
Anmärkning

Funding Agencies|Icelandic Research Fund; Swedish Foundation for Strategic Research (SSF); Knut and Alice Wallenberg Foundation (KAW)

Tillgänglig från: 2019-05-28 Skapad: 2019-05-28 Senast uppdaterad: 2019-10-29

Open Access i DiVA

fulltext(784 kB)250 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 784 kBChecksumma SHA-512
1831e1f40252871e9a73b7fb1483205e3b273722b09fdafa2816972228b79576e16c65aadaaf0ac996050daaca49e4789f0a8093d08d4b6d364293e10a4d045b
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Chen, Jr-TaiKarhu, RobinUl-Hassan, JawadSveinbjörnsson, Einar
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska fakulteten
I samma tidskrift
Materials Science in Semiconductor Processing
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 250 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 139 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf