liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Growth and characterization of ZnO nanostructured material
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2008 (Engelska)Ingår i: Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, ISSN 1454-4164, E-ISSN 1841-7132, Vol. 10, nr 11, s. 2969-2975Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

ZnO is a wide band gap (3.37 eV) semiconductor material with a high exciton binding energy (60 meV) at room temperature, which is a prerequisite for realization of efficient and stable optoelectronic systems. We demonstrated the APMOCVD growth of nanostructured ZnO material on Si and SiC with advanced emitting properties. The comparison of the properties of nanostructured polycrystalline layers with spatially disconnected ZnO nanocrystals clearly showed the advantage of the latter structures. Such structures distinctively luminesce in the UV range of the spectrum due to excitonic emission, while the contribution of the defect related luminescence is negligible. The significant improvement of the PL properties can be related to the decreased number of non-radiative recombination centers in the nanocrystals of high structural quality.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. Vol. 10, nr 11, s. 2969-2975
Nyckelord [en]
APMOCVD; Nanohexagons; Nanopillars; XRD, Photoluminescence
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-16207OAI: oai:DiVA.org:liu-16207DiVA, id: diva2:133437
Tillgänglig från: 2009-01-12 Skapad: 2009-01-09 Senast uppdaterad: 2017-12-14

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Link to Journal

Personposter BETA

Khranovskyy, VolodymyrYazdi, GholamrezaLarsson, ArvidHoltz, Per-OlofYakimova, Rositsa

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Khranovskyy, VolodymyrYazdi, GholamrezaLarsson, ArvidHoltz, Per-OlofYakimova, Rositsa
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterialInstitutionen för fysik, kemi och biologi
I samma tidskrift
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 233 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf