liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Thermoelectric transport properties of highly oriented FeSb2 thin films
University of Aarhus.
University of Aarhus.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0003-1785-0864
University of Aarhus.
Visa övriga samt affilieringar
2009 (Engelska)Ingår i: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, ISSN 0021-8979, Vol. 106, nr 3Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Highly textured FeSb2 films were produced on quartz wafers by a sputtering method. Their resistivity and Seebeck coefficient (S) were measured and a maximum absolute value of S similar to 160 mu V K-1 at 50 K was obtained. Hall measurements were employed to study the charge carrier concentrations and Hall mobilities of the FeSb2 films. By comparing with the transport properties of FeSb2 single crystals and an extrinsically doped FeSb1.98Te0.02 single crystal, the thermoelectric properties of the FeSb2 films are demonstrated to be dominated by the intrinsic properties of FeSb2 at a high charge carrier concentration.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2009. Vol. 106, nr 3
Nyckelord [en]
carrier density, electrical resistivity, Hall mobility, iron compounds, Seebeck effect, semiconductor thin films, sputter deposition
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-20403DOI: 10.1063/1.3155800OAI: oai:DiVA.org:liu-20403DiVA, id: diva2:234514
Anmärkning
Original Publication: Y Sun, S Johnsen, Per Eklund, M Sillassen, J Bottiger, N Oeschler, P Sun, F Steglich and B B Iversen, Thermoelectric transport properties of highly oriented FeSb2 thin films, 2009, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, (106), 3, 033710. http://dx.doi.org/10.1063/1.3155800 Copyright: American Institute of Physics http://www.aip.org/ Tillgänglig från: 2009-09-08 Skapad: 2009-09-07 Senast uppdaterad: 2015-01-13

Open Access i DiVA

fulltext(284 kB)401 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 284 kBChecksumma SHA-512
ad57ba7c382cc2e37c901853851a105a6a9e7604fdc12ead6fec5ad773adcc615ed4fbfd5890f18edaabf278e76af0da143d53bffd348e00b2d030fec4b63d32
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Eklund, Per

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Eklund, Per
Av organisationen
TunnfilmsfysikTekniska högskolan
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 401 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 510 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf