liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
A high density, low leakage, 5T SRAM for embedded caches
EK. ISY, LiU.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för systemteknik, Elektroniska komponenter.
MoSys.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för systemteknik, Elektroniska komponenter.ORCID-id: 0000-0001-8922-2360
2004 (Engelska)Ingår i: ESSCIRC 2004,2004, Leuven: IEEE, Inc. , 2004, s. 215-Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Leuven: IEEE, Inc. , 2004. s. 215-
Nyckelord [en]
high density, low leakage, 5T SRAM
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-22511Lokalt ID: 1770OAI: oai:DiVA.org:liu-22511DiVA, id: diva2:242824
Tillgänglig från: 2009-10-07 Skapad: 2009-10-07 Senast uppdaterad: 2019-09-05

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Andersson, StefanAlvandpour, Atila

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Andersson, StefanAlvandpour, Atila
Av organisationen
Tekniska högskolanElektroniska komponenter
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 484 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf