liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Effects of External Fields on the Excitonic Emission from Single InAs/GaAs Quantum Dots
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.ORCID-id: 0000-0002-4547-6673
Visa övriga samt affilieringar
2008 (Engelska)Ingår i: Microelectronics Journal, Vol. 39, Microelectronics Journal: Elsevier , 2008, s. 331-334Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

A low-temperature micro-photoluminescence (μ-PL) investigation of InAs/GaAs quantum dots (QDs) exposed to a lateral external electric field is reported. It is demonstrated that the QDs PL signal could be increased several times by altering the external and/or the internal electric field. The internal field in the vicinity of the dots could be altered by means of an additional infra-red laser. We propose a model, which is based on an essentially faster lateral transport of the charge carriers achieved in an external electric field. Consequently, also the capture probability into the dots and subsequently the dot luminescence is also enhanced. The results obtained suggest that the lateral electric fields play a major role for the dot luminescence intensity measured in our experiment.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Microelectronics Journal: Elsevier , 2008. s. 331-334
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-39927DOI: 10.1016/j.mejo.2007.07.007Lokalt ID: 51702OAI: oai:DiVA.org:liu-39927DiVA, id: diva2:260776
Konferens
The 6th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices,2007
Anmärkning

in press

Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2015-01-23

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Holtz, Per-OlofMoskalenko, EvgeniiLarsson, MatsKarlsson, Fredrik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Holtz, Per-OlofMoskalenko, EvgeniiLarsson, MatsKarlsson, Fredrik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterialInstitutionen för fysik, kemi och biologi
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 84 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf