liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Strain and compositional analyzes of Al-rich Al1-xInxN alloys grown by MOVPE: impact on the applicability of Vegard's rule
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.ORCID-id: 0000-0002-2837-3656
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2008 (Engelska)Ingår i: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2008, s. 1859-1862Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

We have studied composition and strain in Al1–xInxN films with 0.128 x 0.22 grown on GaN-buffered sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy. A good agreement between the In contents determined by Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and Xray diffraction (XRD) is found for x 18, suggesting applicability of Vegard's rule in the narrow compositional range around the lattice matching to GaN. The increase of the In content up to x = 0.22 leads to a formation of sub-layers with a higher composition, accompanied by deviations from Vegard's rule. (© 2008 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. s. 1859-1862
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-42414DOI: 10.1002/pssc.200778706Lokalt ID: 63819OAI: oai:DiVA.org:liu-42414DiVA, id: diva2:263271
Konferens
7th Int. Conference on Nitride Semiconductors ICNS-7,2007
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2019-01-28

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Darakchieva, VanyaBeckers, ManfredHultman, LarsXie, MengyaoMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Darakchieva, VanyaBeckers, ManfredHultman, LarsXie, MengyaoMonemar, Bo
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanTunnfilmsfysik
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 175 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf