liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
The limiting frontiers of maximum DC voltage at drain of SiC microwave power transistors in case of Class A power amplifiers
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
2007 (Engelska)Ingår i: International Semiconductor Device Research Symposium 2007 ISDRS-07,2007, IEEE , 2007Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

   

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE , 2007.
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-43517DOI: 10.1109/ISDRS.2007.4422375Lokalt ID: 74040OAI: oai:DiVA.org:liu-43517DiVA, id: diva2:264376
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Person

Azam, SherWahab, Qamar Ul

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Azam, SherWahab, Qamar Ul
Av organisationen
Tekniska högskolanMateriefysik
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 64 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf