liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Deep levels created by low energy electron Irradiation in 4H-SiC
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
Visa övriga samt affilieringar
2004 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 96, nr 9, s. 4909-4915Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

With low energy electron irradiation in the 80-250 keV range, we were able to create only those intrinsic defects related to the initial displacements of carbon atoms in the silicon carbide lattice. Radiation induced majority and minority carrier traps were analyzed using capacitance transient techniques. Four electron traps (EH1, Z1/Z2, EH3, and EH7) and one hole trap (HS2) were detected in the measured temperature range. Their concentrations show linear increase with the irradiation dose, indicating that no divacancies or di-interstitials are generated. None of the observed defects was found to be an intrinsic defect-impurity complex. The energy dependence of the defect introduction rates and annealing behavior are presented and possible microscopic models for the defects are discussed. No further defects were detected for electron energies above the previously assigned threshold for the displacement of the silicon atom at 250 keV. © 2004 American Institute of Physics. 10.1063/1.1778819.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2004. Vol. 96, nr 9, s. 4909-4915
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-45596DOI: 10.1063/1.1778819OAI: oai:DiVA.org:liu-45596DiVA, id: diva2:266492
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Storasta, LiutaurasJanzén, ErikHenry, Anne

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Storasta, LiutaurasJanzén, ErikHenry, Anne
Av organisationen
Tekniska högskolanMateriefysik
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 76 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf