liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Lattice parameters of bulk GaN fabricated by halide vapor phase epitaxy
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
R and D Division, Furukawa Co. Ltd., Tsukuba, Ibaraki, 305-0865, Japan.
Department of Electrical Engineering, University of Nebraska, Lincoln, NE 68588, United States.
Visa övriga samt affilieringar
2008 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 310, nr 5, s. 959-965Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The lattice parameters of low-defect density undoped bulk GaN fabricated by halide vapor phase epitaxy (HVPE) and removal of the substrate are precisely determined using high-resolution X-ray diffraction. The obtained values, c = 5.18523 over(A, °) and a = 3.18926 over(A, °) are compared with the lattice parameters of free-standing HVPE-GaN from different sources and found to be representative for state-of-the-art undoped HVPE bulk GaN material. A comparison with bulk GaN fabricated by the high pressure technique and homoepitaxial GaN layer is made, and the observed differences are discussed in terms of their free-electron concentrations, point and structural defects. © 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. Vol. 310, nr 5, s. 959-965
Nyckelord [en]
A1. GaN bulk, A1. High-resolution x-ray diffraction, A1. Lattice parameters, A1. Point and extended defects, B3. Hydride/Halide vapor phase epitaxy
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-46722DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.130OAI: oai:DiVA.org:liu-46722DiVA, id: diva2:267618
Anmärkning
Presented at: E-MRS,2007Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Darakchieva, VanyaMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Darakchieva, VanyaMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanMateriefysik
I samma tidskrift
Journal of Crystal Growth
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 100 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf