liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Optical properties of GaNAs/GaAs structures
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0001-7155-7103
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0002-6405-9509
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.ORCID-id: 0000-0002-9840-7364
Visa övriga samt affilieringar
2001 (Engelska)Ingår i: Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology, ISSN 0921-5107, E-ISSN 1873-4944, Vol. 82, nr 1-3, s. 143-147Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We review our recent results on optical characterization of MBE-grown GaNAs/GaAs quantum structures with N content up to 4.5%, by employing photoluminescence (PL), PL excitation, and time-resolved PL spectroscopies. The dominant PL mechanism has been determined as recombination of excitons trapped by potential fluctuations of the band edge, due to composition disorder and strain nonuniformity of the alloy. The estimated value of the localization potential is around 60 meV for the low-temperature grown structures and can be reduced by increasing the growth temperature or using post-growth rapid thermal annealing (RTA). © 2001 Elsevier Science S.A.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2001. Vol. 82, nr 1-3, s. 143-147
Nyckelord [en]
Defect, Disorder, GaNAs, Localization, Photoluminescence, Recombination
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-47376DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00669-3OAI: oai:DiVA.org:liu-47376DiVA, id: diva2:268272
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Buyanova, Irina A.Chen, WeiminPozina, GaliaMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Buyanova, Irina A.Chen, WeiminPozina, GaliaMonemar, Bo
Av organisationen
Funktionella elektroniska materialTekniska högskolanMateriefysik
I samma tidskrift
Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 195 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf