liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Luminescence and microstructure of Er/O co-doped Si structures grown by MBE using Er and SiO evaporation
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.ORCID-id: 0000-0001-9140-6724
Visa övriga samt affilieringar
2000 (Engelska)Ingår i: Materials Science in Semiconductor Processing, ISSN 1369-8001, E-ISSN 1873-4081, Vol. 3, nr 5-6, s. 523-528Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Er and O co-doped Si structures have been prepared using molecular-beam epitaxy (MBE) with fluxes of Er and O obtained from Er and silicon monoxide (SiO) evaporation in high-temperature cells. The incorporation of Er and O has been studied for concentrations of up to 2×1020 and 1×1021 cm-3, respectively. Surface segregation of Er can take place, but with O co-doping the segregation is suppressed and Er-doped layers without any indication of surface segregation can be prepared. Si1-xGex and Si1-yCy layers doped with Er/O during growth at different substrate temperatures show more defects than corresponding Si layers. Strong emission at 1.54µm associated with the intra-4f transition of Er3+ ions is observed in electroluminescence (EL) at room temperature in reverse-biased p-i-n-junctions. To optimize the EL intensity we have varied the Er/O ratio and the temperature during growth of the Er/O-doped layer. Using an Er-concentration of around 1×1020 cm-3 we find that Er/O ratios of 1:2 or 1:4 give higher intensity than 1:1 while the stability with respect to breakdown is reduced for the highest used O concentrations. For increasing growth temperatures in the range 400-575 °C there is an increase in the EL intensity. A positive effect of post-annealing on the photoluminescence intensity has also been observed.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2000. Vol. 3, nr 5-6, s. 523-528
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-47578DOI: 10.1016/S1369-8001(00)00075-5OAI: oai:DiVA.org:liu-47578DiVA, id: diva2:268474
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Du, Chun-XiaPersson, PerHultman, LarsPozina, GaliaNi, Wei-XinHansson, Göran

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Du, Chun-XiaPersson, PerHultman, LarsPozina, GaliaNi, Wei-XinHansson, Göran
Av organisationen
Tekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologiTunnfilmsfysikMateriefysikYt- och Halvledarfysik
I samma tidskrift
Materials Science in Semiconductor Processing
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 174 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf