liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Orientation-dependent defect formation in silicon carbide epitaxial layers
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Visa övriga samt affilieringar
2003 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 281-284Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Thick SiC epitaxial layers have been grown by sublimation on different initial surfaces in the range of 1800-2200degreesC. Evidences have been obtained that independently of the polytype and the surface polarity, there exists a transition region between the substrate and the epilayer in which the crystal structure is highly disturbed either by formation of misfit dislocations, predominantly in growth on vicinal (off-axis) surfaces or by domain boundaries and polytype transformation during growth on atomically flat (on-axis) surfaces. The transition layer thickness may vary from 15 to 50 mum and it seems to depend on the growth rate.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2003. Vol. 433-4, s. 281-284
Nyckelord [en]
structural defects, sublimation growth, transition layer
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48540OAI: oai:DiVA.org:liu-48540DiVA, id: diva2:269436
Konferens
ECSCRM2002
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2010-12-10

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Yakimova, RositsaSyväjärvi, MikaelIakimov, TihomirJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Yakimova, RositsaSyväjärvi, MikaelIakimov, TihomirJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 118 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf