liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Theoretical calculation of stacking fault energies in silicon carbide
Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden Lulea Univ Technol, Dept Math, SE-97187 Lulea, Sweden Univ Newcastle Upon Tyne, Dept Phys, Newcastle Upon Tyne NE1 7RU, Tyne & Wear, England.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden Lulea Univ Technol, Dept Math, SE-97187 Lulea, Sweden Univ Newcastle Upon Tyne, Dept Phys, Newcastle Upon Tyne NE1 7RU, Tyne & Wear, England.
2002 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 389-3, s. 439-442Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A first-principles calculation of stacking fault energies in 3C-, 4H-, and 6H-SiC, based on the local-density approximation within the density-functional theory, is reported. All the structurally different stacking faults which can be introduced by glide along the (0001) basal plane are considered. The number of such stacking faults in these polytypes is one, two, and three, respectively. The stacking fault energies are also calculated using the simpler generalized axial next-nearest-neighbor Ising (ANNNI) model. Our calculations confirm that the stacking fault energy of 3C-SiC is negative, and we also find that one of the three types of stacking faults in 6H-SiC has a considerably higher stacking fault energy than the other two types.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2002. Vol. 389-3, s. 439-442
Nyckelord [en]
first-principles calculations, stacking faults, stacking fault energy
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48806OAI: oai:DiVA.org:liu-48806DiVA, id: diva2:269702
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-12

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Lindefelt, Ulf

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Lindefelt, Ulf
Av organisationen
Tekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologi
I samma tidskrift
Materials Science Forum
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 94 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf