liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Photoluminescence and electroluminescence characterization of InxGa1-x/InyGa1-yN multiple quantum well light emitting diodes
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.ORCID-id: 0000-0002-9840-7364
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Meijo Univ, Dept Elect Engn & Elect, Tempaku Ku, Nagoya, Aichi 468, Japan Meijo Univ, Elect & High Tech Res Ctr, Tempaku Ku, Nagoya, Aichi 468, Japan.
Visa övriga samt affilieringar
2002 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 1493-1496Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

We report on a study of radiative recombination in In0.11Ga0.89N/In.0.01Ga0.99N multiple quantum wells (MQWs). The QWs were nominally undoped, while the InGaN barriers were Si doped. The MQW part is situated in the depletion field of a pn-junction structure with electrical contacts, so that both photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) can be studied as a function of bias. The PL and EL spectra are distinctly different, in particular at low temperatures. The spectral properties and related differences in PL decay times reflect different recombination conditions in the MQW region for the individual QWs.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2002. Vol. 389-3, s. 1493-1496
Nyckelord [en]
electroluminescence, GaN, InGaN, LEDs, multiple quantum wells, photoluminescence
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48836OAI: oai:DiVA.org:liu-48836DiVA, id: diva2:269732
Konferens
ICSCRM2001
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2015-09-22

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Bergman, PederPozina, GaliaMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Bergman, PederPozina, GaliaMonemar, Bo
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 98 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf