liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Thick GaN films grown on sapphire: Detects in highly mismatched systems
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58381 Linkoping, Sweden.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
2002 (Engelska)Ingår i: Defects and diffusion in semiconductors, ISSN 1012-0386, Vol. 200-2Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

In this paper, we review the present knowledge of the defects in thick GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on sapphire substrates. We summarize the defects present in such highly mismatched system into three main categories: large-scale nonuniformities, microstructure crystallographic defects, and point defects. We begin by describing the layer structure typical for thick films grown at very high growth rates, and concentrate on large-scale three-dimensional defects and their impact on the crystal quality. Then we briefly review the current understanding of the variety of extended structural defects with the emphasis on their role in the morphology and relaxation mechanisms in thick heteroepitaxial layers. The discussion is completed by reviewing the point defects in HVPE nitride materials and their influence on the optical properties of GaN films.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2002. Vol. 200-2
Nyckelord [en]
3D-defects, GaN, microstructure, mismatched systems, point defects
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48999OAI: oai:DiVA.org:liu-48999DiVA, id: diva2:269895
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2018-05-22

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Paskova, TanjaMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Paskova, TanjaMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologiHalvledarmaterial
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 65 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf