liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Implantation temperature dependent deep level defects in 4H-SiC
Royal Inst Technol, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Royal Inst Technol, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden.
2001 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 353-356, 2001, Vol. 353-3, s. 443-446Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Deep level transient spectroscopy spectra of the near Z-defect region (150-350K) were investigated for B implanted samples of low doses (10(8)-10(9) cm(-2)). For 300 degreesC implantation, a level at an energy of 0.41 eV below the conduction hand edge was found, referred to as the S-level. The S-center was shown to form in both implanted and electron irradiated 4H-SiC, either after room temperature (R.T.) implantation followed by mild heat treatments or lung R.T. storage (several months) or after 200-300 degreesC implantations/irradiations. The S-center was found to anneal out at temperatures above 250 degreesC.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2001. Vol. 353-3, s. 443-446
Nyckelord [en]
deep level, DLTS, ion implantation, S-level, temperature stable defects
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-49272OAI: oai:DiVA.org:liu-49272DiVA, id: diva2:270168
Konferens
ECSCRM2000
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2010-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Storasta, Liutauras

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Storasta, Liutauras
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 436 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf