liu.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Time-resolved photoluminescence study of bound and free excitons in 4H SiC
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.ORCID-id: 0000-0002-9840-7364
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.ORCID-id: 0000-0002-2597-3322
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
2000 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 338-343, Stafa-Zurich, Switzerland: Trans Tech Publications Inc., 2000, Vol. 338-342, 675-678 s.Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

We have measured the photoluminescence (PL) decay time of free exciton (FE) and bound excitons (BE) related to nitrogen in epitaxial 4H-SiC layers with different doping concentration. It is shown that the recombination mechanism for FE is not connected with capture of e-h pair to defects related to nitrogen. The PL decay times for the Q BE, as well as for excitons bound to Ga, Al or B, are determined by the FE recombination time with the PL decay time values about 8 - 15 ns at low temperature. That is different for P BE, for which the time decay is about 40 ns at T = 2 K. In addition, detailed temperature studies of the PL decay were performed.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Stafa-Zurich, Switzerland: Trans Tech Publications Inc., 2000. Vol. 338-342, 675-678 s.
Serie
Materials Science Forum, ISSN 1662-9752 ; 338-342
Nyckelord [en]
bound excitons, carrier lifetime, free excitons, time-resolved photoluminescence
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-49445DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.675ISBN: 9780878498543 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-49445DiVA: diva2:270341
Konferens
ICSCRM'99: 8th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Research Triangle Park, North Carolina, USA, 10-15 October 1999
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2015-09-22

Open Access i DiVA

Fulltext saknas

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Pozina, GaliaBergman, PederHemmingsson, CarlJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Pozina, GaliaBergman, PederHemmingsson, CarlJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 69 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf