liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Low-energy-ion-assisted reactive sputter deposition of epitaxial AlN thin films on 6H-SiC
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.ORCID-id: 0000-0001-9140-6724
Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0003-2749-8008
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.ORCID-id: 0000-0002-2837-3656
Visa övriga samt affilieringar
2000 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 338-3, s. 1519-1522Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Epitaxial wurzite-structure AIN thin films have been grown on 6H-SiC substrates by ultra-high-vacuum (UHV) low-energy-ion-assisted reactive de magnetron sputtering. The quality of epitaxial AIN films is significantly improved by low-energy ion assistance (E-i = 17-27 eV), during reactive magnetron sputter growth on vicinal (3.5 degrees) 6H-SiC. The ion-assisted growth results in an increased surface mobility, which promotes domain boundary annihilation and epitaxial growth. This results in lateral expansion of column width. Thus, AIN films with domains as large as 40 nm at the interface to 6H-SiC can be realized. At film thickness above 100 nm, the column width expands to 100 nm. The crystal quality of the films is very good with low background impurities (O: 3.5x10 (18)cm(-3)).

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2000. Vol. 338-3, s. 1519-1522
Nyckelord [en]
6H-SiC, AlN, cathodoluminescence, epitaxial, sputtering, TEM, XRD
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-49461OAI: oai:DiVA.org:liu-49461DiVA, id: diva2:270357
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-12

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Tungasmita, SukkanestePersson, PerJärrendahl, KennethHultman, LarsBirch, Jens

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Tungasmita, SukkanestePersson, PerJärrendahl, KennethHultman, LarsBirch, Jens
Av organisationen
Tekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologiTunnfilmsfysik
I samma tidskrift
Materials Science Forum
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 218 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf