liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Enhanced quality of epitaxial AlN thin films on 6H-SiC by ultra-high-vacuum ion-assisted reactive dc magnetron sputter deposition
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.ORCID-id: 0000-0001-9140-6724
Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0003-2749-8008
Visa övriga samt affilieringar
2000 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 76, nr 2, s. 170-172Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Epitaxial AlN thin films have been grown on 6H-SiC substrates by ultra-high-vacuum (UHV) ion-assisted reactive dc magnetron sputtering. The low-energy ion-assisted growth (E-i = 17-27 eV) results in an increasing surface mobility, promoting domain-boundary annihilation and epitaxial growth. Domain widths increased from 42 to 135 nm and strained-layer epitaxy was observed in this energy range. For E-i> 52 eV, an amorphous interfacial layer of AlN was formed on the SiC, which inhibited epitaxial growth. Using UHV condition and very pure nitrogen sputtering gas yielded reduced impurity levels in the films (O: 3.5 x 10(18) cm(-3)). Analysis techniques used in this study are in situ reflection high-energy electron diffraction, secondary-ion-mass spectroscopy, atomic-force microscopy, x-ray diffraction, and cross-section high-resolution electron microscopy. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)01802-7].

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2000. Vol. 76, nr 2, s. 170-172
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-49923OAI: oai:DiVA.org:liu-49923DiVA, id: diva2:270819
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-12

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Tungasmita, SukkanesteBirch, JensPersson, PerJärrendahl, KennethHultman, Lars

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Tungasmita, SukkanesteBirch, JensPersson, PerJärrendahl, KennethHultman, Lars
Av organisationen
Tekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologiTunnfilmsfysik
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 227 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf