liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Donor-acceptor pair emission enhancement in mass-transport-grown GaN
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Faculty of Physics, Sofia University, Sofia 1164, Bulgaria.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Macquare University, Sydney, NSW 2109, Australia.
Visa övriga samt affilieringar
2005 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 98, nr 3, s. 033508-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A dominating donor-acceptor pair (DAP) emission at about 3.27 eV is observed in the photoluminescence and cathodoluminescence spectra of intentionally undoped mass-transport (MT)-grown GaN, while only a weak presence of the DAP emission is recorded in the as-grown hydride vapor phase epitaxial GaN. A comparative study of impurity and native defect incorporation in the as-grown and MT GaN was performed, showing a significant increase of oxygen and empty clusters involving Ga vacancy and oxygen in the MT GaN. Based on the observed results as well as on doping analysis of the structure and kinetic analysis of the emission intensities, we propose an acceptorlike complex, creating a state as a semiclassical potential well near the valence-band top due to the local tensile strain caused by the empty clusters to be responsible for the dominating behavior of the DAP emission. © 2005 American Institute of Physics.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2005. Vol. 98, nr 3, s. 033508-
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-50447DOI: 10.1063/1.1994943OAI: oai:DiVA.org:liu-50447DiVA, id: diva2:271343
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-12

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Paskova, TanjaPaskov, PlamenMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Paskova, TanjaPaskov, PlamenMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologiMateriefysik
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 63 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf