liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Free standing AIN single crystal grown on pre-patterned and in situ patterned 4H-SiC substrates
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Newcastle University.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Nanostrukturerade material. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2010 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 645-648, Transtec Publications; 1999 , 2010, Vol. 645-648, s. 1187-1190Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Free standing AIN wafers were grown on pre-patterned and in situ patterned 4H-SiC substrates by a physical vapor transport method. It is based on the coalescence of AIN microrods, which evolve from the apex of SiC pyramids grown on the SIC substrate during a temperature ramp up for in situ patterned substrate and SiC pyramids formed by reactive ion etching (RIE). This process yields stress-free (according XRD and Raman results) AIN single crystals with a thickness up to 400 mu m and low dislocation density.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Transtec Publications; 1999 , 2010. Vol. 645-648, s. 1187-1190
Nyckelord [en]
Free standing; Hexagonal pyramids; AIN; reactive ion etching; physical vapor transport
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-58215DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.1187ISI: 000279657600283OAI: oai:DiVA.org:liu-58215DiVA, id: diva2:338098
Konferens
ICSCRM2009
Tillgänglig från: 2010-08-10 Skapad: 2010-08-09 Senast uppdaterad: 2013-10-02

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Yazdi, GholamrezaCordoba Gallego, Jose ManuelGogova, DanielaSyväjärvi, MikaelOdén, MagnusYakimova, Rositsa

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Yazdi, GholamrezaCordoba Gallego, Jose ManuelGogova, DanielaSyväjärvi, MikaelOdén, MagnusYakimova, Rositsa
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanNanostrukturerade materialInstitutionen för fysik, kemi och biologi
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 477 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf