liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Exciton and defect photoluminescence from SiC
Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
Visa övriga samt affilieringar
2003 (Engelska)Ingår i: Silicon carbide and related materials 2002: ECSCRM 2002 proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden / [ed] Zhe Chuan Feng, Jian H. Zhao, 2003, s. 81-120Kapitel i bok, del av antologi (Övrigt vetenskapligt)
Abstract [en]

Wide-bandgap semiconductors such as SiC, III-V nitrides and related compounds are attracting rapidly increasing attention due to their other, very interesting, physical properties which are often superior in many ways to those of conventional semiconductors. Steady improvements in crystal quality, and improved knowledge concerning their physical properties, are leading to rapid developments in high-power, high-temperature, high-frequency electronics and blue-light emitters. This book comprises the proceedings of the fourth European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, held on the 1 to 5 September 2002 in Link3œping, Sweden. This conference series continued its tradition of being the main forum for presenting results, and discussing progress, among university and industry researchers who are active in the fields of SiC and related materials. These proceedings therefore document the latest experimental and theoretical understanding of the growth of bulk and epitaxial layers, the properties of the resultant material, the development of suitable processes and of electronic devices that can exploit and benefit best from the outstanding physical properties offered by wide-bandgap materials

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2003. s. 81-120
Serie
Materials science forum,, ISSN 0255-5476 ; 433/436
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-62766ISBN: 0-87849-920-2 (tryckt)ISBN: 978-0-8784-9920-5 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-62766DiVA, id: diva2:374221
Tillgänglig från: 2010-12-03 Skapad: 2010-12-03 Senast uppdaterad: 2014-10-08Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

find book at a swedish library/hitta boken i ett svenskt bibliotekfind book in another country/hitta boken i ett annat land

Personposter BETA

Ivanov, Ivan GueorguievSon, Nguyen TienHenry, AnneBergman, PederJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Ivanov, Ivan GueorguievSon, Nguyen TienHenry, AnneBergman, PederJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

isbn
urn-nbn
Totalt: 111 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf