liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Growth of SiC by "Hot-Wall" CVD and HTCVD
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
1997 (Engelska)Ingår i: Physica status solidi. B, Basic research, ISSN 0370-1972, E-ISSN 1521-3951, Vol. 202, nr 1, s. 321-334Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A reactor concept for the growth of high-quality epitaxial SiC films has been investigated. The reactor concept is based on a hot-wall type susceptor which, due to the unique design, is very power efficient. Four different susceptors are discussed in terms of quality and uniformity of the grown material. The films are grown using the silane–propane–hydrogen system on off-axis (0001) 6H- and 4H-SiC substrates. Layers with doping levels in the low 1014 cm—3 showing strong free exciton emission in the photoluminescence spectra may readily be grown reproducibly in this system. The quality of the grown layers is also confirmed by the room temperature minority carrier lifetimes in the microsecond range and the optically detected cyclotron resonance data which give mobilities in excess of 100000 cm2/Vs at 6 K. Finally, a brief description will be given of the HTCVD technique which shows promising results in terms of high quality material grown at high growth rates.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1997. Vol. 202, nr 1, s. 321-334
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-62917DOI: 10.1002/1521-3951(199707)202:1<321::AID-PSSB321>3.0.CO;2-HOAI: oai:DiVA.org:liu-62917DiVA, id: diva2:375100
Tillgänglig från: 2010-12-07 Skapad: 2010-12-07 Senast uppdaterad: 2017-12-11

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Kordina, OlleHallin, ChristerHenry, AnneBergman, PederIvanov, Ivan GueorguievSon, Nguyen TienJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kordina, OlleHallin, ChristerHenry, AnneBergman, PederIvanov, Ivan GueorguievSon, Nguyen TienJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologi
I samma tidskrift
Physica status solidi. B, Basic research
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 142 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf