liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Increasing the Selectivity of Pt-Gate SiC Field Effect Gas Sensors by Dynamic Temperature Modulation
University of Saarland.
Dillinger Hutte GTS.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
University of Saarland.
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: IEEE Sensors Journal, ISSN 1530-437X, E-ISSN 1558-1748, Vol. 12, nr 6Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Based on a diode coupled silicon carbide field effect transistor (FET) with platinum as catalytic gate material, the influence of dynamic temperature modulation on the selectivity of gas analysis sensors FETs has been investigated. This operating mode, studied intensively for semiconductor gas sensors, has only recently been applied to FETs. A suitable temperature cycle for detection of typical exhaust gases (CO, NO, C3H6, H-2, NH3) was developed and combined with appropriate signal processing. The sensor data were evaluated using multivariate statistics, e.g., linear discriminant analysis. Measurements have proven that typical exhaust gases can be discriminated in backgrounds with 0, 10, and 20% oxygen. Furthermore, we are able to quantify the mentioned gases and to determine unknown concentrations based on training data. Very low levels of relative humidity below a few percent influence the sensor response considerably but for higher levels the cross interference of humidity is negligible. In addition, experiments regarding stability and reproducibility were performed.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) , 2012. Vol. 12, nr 6
Nyckelord [en]
Metal insulator silicon carbide field effect transistors (MISiC FET), NOx, selectivity, temperature modulation, virtual multisensor
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-77724DOI: 10.1109/JSEN.2011.2179645ISI: 000303400500017OAI: oai:DiVA.org:liu-77724DiVA, id: diva2:529460
Anmärkning
Funding Agencies|Swedish Research Council||Swedish Agency for Innovation Systems (VINNOVA)||Swedish Industry through the VINN Excellence Centre FunMat||Tillgänglig från: 2012-05-30 Skapad: 2012-05-28 Senast uppdaterad: 2017-12-07

Open Access i DiVA

fulltext(666 kB)1379 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 666 kBChecksumma SHA-512
0e55dcb35251d4538894d23cc1687dca6a87d8e56962121891d1b88fa4fdb5a25b18a5ca34a949e6a06439d86acac9cc8fe9e102a7062d0053b599b3eac3bdf9
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Andersson, MikeLloyd Spetz, Anita

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Andersson, MikeLloyd Spetz, Anita
Av organisationen
Tillämpad FysikTekniska högskolan
I samma tidskrift
IEEE Sensors Journal
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 1379 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 300 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf