liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
High temperature sensors based on metal-insulator-silicon carbide devices
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-2817-3574
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
1997 (Engelska)Ingår i: Physica status solidi. A, Applied research, ISSN 0031-8965, E-ISSN 1521-396X, Vol. 162, nr 1, s. 493-511Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

High temperature gas sensors based on catalytic metal-insulator-silicon carbide (MISiC) devices are developed both as capacitors and Schottky diodes. A maximum operation temperature of 1000 degrees C is obtained for capacitors based on 4H-SiC, and all sensors work routinely for several weeks at 600 degrees C. Reducing gases like hydrocarbons and hydrogen lower the flat band voltage of the capacitor and the barrier height of the diode. The time constants for the gas response are in the order of milliseconds and because of this good performance the sensors are tested for combustion engine control. For temperatures around 600 degrees C total combustion occurs on the sensor surface and the signal is high for fuel in excess and low for air in excess. At temperatures around 400 degrees C the response is more linear. The high temperature operation causes interdiffusion of the metal and insulator layers in these devices; and this interdiffusion has been studied. At sufficiently high temperatures the inversion capacitance shows different levels for hydrogen free and hydrogen containing ambients, which is suggested to be due to a reversible hydrogen annealing effect at the insulator-silicon carbide interface.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
John Wiley & Sons, 1997. Vol. 162, nr 1, s. 493-511
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-88132DOI: 10.1002/1521-396X(199707)162:1<493::AID-PSSA493>3.0.CO;2-CISI: A1997XQ45700026OAI: oai:DiVA.org:liu-88132DiVA, id: diva2:601778
Tillgänglig från: 2013-01-30 Skapad: 2013-01-30 Senast uppdaterad: 2017-12-06

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Lloyd Spetz, AnitaBaranzahi, AmirLundström, Ingemar

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Lloyd Spetz, AnitaBaranzahi, AmirLundström, Ingemar
Av organisationen
Tillämpad FysikTekniska högskolan
I samma tidskrift
Physica status solidi. A, Applied research
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 218 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf