liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Morphological and Optical Stability in Growth of Fluorescent SiC on Low Off-Axis Substrates
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
University of Erlangen-Nuremberg, Germany.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
University of Erlangen-Nuremberg, Germany.
Visa övriga samt affilieringar
2013 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 740-742, s. 19-22Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Fluorescent silicon carbide was grown using the fast sublimation growth process on low off-axis 6H-SiC substrates. In this case, the morphology of the epilayer and the incorporation of dopants are influenced by the Si/C ratio. Differently converted tantalum foils were introduced into the growth cell in order to change vapor phase stochiometry during the growth. Fluorescent SiC grown using fresh and fully converted tantalum foils contained morphological instabilities leading to lower room temperature photoluminescence intensity while an improved morphology and optical stability was achieved with partly converted tantalum foil. This work reflects the importance of considering the use of Ta foil in sublimation epitaxy regarding the morphological and optical stability in fluorescent silicon carbide.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications Inc., 2013. Vol. 740-742, s. 19-22
Nyckelord [en]
Fluoresecnt Silicon Carbide, Low Off-Axis Substrates, Sublimation Epitaxy
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-88724DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.19ISI: 000319785500005OAI: oai:DiVA.org:liu-88724DiVA, id: diva2:605690
Konferens
9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2012), 2-6 September 2012, Saint-Petersburg, Russia
Tillgänglig från: 2013-02-14 Skapad: 2013-02-14 Senast uppdaterad: 2017-12-06

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextLink to article

Personposter BETA

Jokubavicius, ValdasHens, PhilipLiljedahl, RickardYakimova, RositsaSyväjärvi, Mikael

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Jokubavicius, ValdasHens, PhilipLiljedahl, RickardYakimova, RositsaSyväjärvi, Mikael
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
I samma tidskrift
Materials Science Forum
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 150 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf