liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Effect of thermal annealing on defects in post-growth hydrogenated GaNP
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, La Jolla, California, USA .
INFM and Dipartimento di Fisica, Università di Roma “La Sapienza”, Roma, Italy.
INFM and Dipartimento di Fisica, Università di Roma “La Sapienza,” Roma, Italy .
Visa övriga samt affilieringar
2013 (Engelska)Ingår i: Physica Status Solidi. C, Current topics in solid state physics, ISSN 1610-1634, E-ISSN 1610-1642, Vol. 10, nr 4, s. 561-563Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Effect of thermal annealing on paramagnetic centers in post-growth hydrogenated GaN0.0081P0.9919 epilayer is examined by means of photoluminescence and optically detected magnetic resonance (ODMR) techniques. In recent studies, several Ga-interstitial (Gai) related centers were found to be activated by the presence of hydrogen in the hydrogenated GaNP alloys. These centers compete with near-band edge radiative recombination. Annealing at 400 ºC in Ar-ambient is found to cause quenching of the Gai-related ODMR signals that were activated by post-growth hydrogenation. We tentatively ascribe this effect to dissociation of the H-Gai complexes and subsequent out-diffusion of H.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
John Wiley & Sons, 2013. Vol. 10, nr 4, s. 561-563
Nyckelord [en]
ODMR, dilute nitrides, Ga interstitial, post-growth hydrogenation, annealing
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-93873DOI: 10.1002/pssc.201200353ISI: 000317284600002OAI: oai:DiVA.org:liu-93873DiVA, id: diva2:627312
Konferens
E-MRS ICAM IUMRS Spring Meeting / Symposium T on Physics and Applications of Novel Gain Materials Based on Nitrogen and Bismuth Containing III-V Compounds. Strasbourg, France. May 14-18, 2012.
Tillgänglig från: 2013-06-11 Skapad: 2013-06-11 Senast uppdaterad: 2017-12-06Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(182 kB)274 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 182 kBChecksumma SHA-512
41e02ec81752d29136530c2b903687a1acf121bc57b2d8c03e226730965991bbcaacaf54e78820846c2d606ace26b9b045e20c57b426ca8a1487d32d7215cf74
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Dagnelund, DanielChen, WeiminBuyanova, Irina

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Dagnelund, DanielChen, WeiminBuyanova, Irina
Av organisationen
Funktionella elektroniska materialTekniska högskolan
I samma tidskrift
Physica Status Solidi. C, Current topics in solid state physics
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 274 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 183 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf