liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Optical properties of the niobium centre in 4H, 6H, and 15R SiC
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2013 (Engelska)Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012, Trans Tech Publications , 2013, Vol. 740-742, s. 405-408Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

A set of lines in the photoluminescence spectra of 4H-, 6H-, and 15R-SiC in the near-infrared are attributed to Nb-related defects on the ground of doping experiments conducted with 4H-SiC. A model based on a an exciton bound at the Nb-centre in an asymmetric split vacancy configuration at a hexagonal site is proposed, which explains the structure of the luminescence spectrum and the observed Zeeman splitting of the lines.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications , 2013. Vol. 740-742, s. 405-408
Nyckelord [en]
transition metals; niobium; photoluminescence; Zeeman effect
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-96515DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.405ISI: 000319785500095OAI: oai:DiVA.org:liu-96515DiVA, id: diva2:642368
Konferens
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012)
Tillgänglig från: 2013-08-21 Skapad: 2013-08-20 Senast uppdaterad: 2014-10-08

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Gueorguiev Ivanov, IvanGällström, AndreasLeone, StefanoKordina, OlleTien Son, NguyenHenry, AnneIvády, ViktorGali, AdamJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Gueorguiev Ivanov, IvanGällström, AndreasLeone, StefanoKordina, OlleTien Son, NguyenHenry, AnneIvády, ViktorGali, AdamJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanTeoretisk FysikInstitutionen för fysik, kemi och biologi
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 169 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf