liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Photoluminescence of 8H-SiC
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Nara Institute of Science and Technology, Japan.
Visa övriga samt affilieringar
2013 (Engelska)Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials 2012 / [ed] Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein, Trans Tech Publications , 2013, Vol. 740-742, s. 347-350Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

8H-SiC epilayers grown on small 8H-SiC Lely platelets are investigated optically using photoluminescence spectroscopy. At low temperature the near band gap emission detected in the 2.78 to 2.67 eV range contains sharp lines associated to nitrogen-bound-exciton recombination. Three different no-phonon lines are detected accompanied by their phonon replicas. Free-exciton replicas are also observed which allows the determination of the excitonic band gap. The binding energy of the bound excitons can thus be determined and the ionization energies of the three nitrogen levels in 8H-SiC are estimated and found to be rather shallow compared to the values for other hexagonal polytypes. Additional bound-exciton lines are observed when the experimental photoluminescence temperature is increased.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications , 2013. Vol. 740-742, s. 347-350
Serie
Materials Science Forum, ISSN 0255-5476 ; 740-742
Nyckelord [en]
8H-SiC; photoluminescence; excitonic band gap; ionization energies
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-96514DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.347ISI: 000319785500081ISBN: 978-3-03785-624-6 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-96514DiVA, id: diva2:642370
Konferens
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), 2-6 September 2012, St. Petersburg, Russia
Tillgänglig från: 2013-08-21 Skapad: 2013-08-20 Senast uppdaterad: 2014-10-08Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(643 kB)740 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 643 kBChecksumma SHA-512
753d3b8dae923b872c44b294472fcb7e90a0f9159abd4ac78845408ca49d711c932bf0f98ed358f724fe6c66ed83bcf912e8c3f9aacba14cb2b6ea9ae77d44ef
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Henry, AnneGueorguiev Ivanov, IvanJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Henry, AnneGueorguiev Ivanov, IvanJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 740 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 160 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf