liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
A Comparison of EDMOS and Cascode Structures for PA Design in 65 nm CMOS Technology
Linköpings universitet, Institutionen för systemteknik, Elektroniska komponenter. Linköpings universitet, Tekniska högskolan. (Electronic Devices)
2013 (Engelska)Självständigt arbete på avancerad nivå (masterexamen), 20 poäng / 30 hpStudentuppsats (Examensarbete)
Abstract [en]

This thesis addresses the potential of implementing watt-level class-AB Power Amplifier (PA) for WLAN in 65 nm CMOS technology, at 2.4 GHz frequency. In total, five PAs have been compared, where the examined parameters were output power (Pout), linearity, power added efficiency (PAE), and area consumption. Four PAs were implemented using conventional cascode topology with different combination of transistors sizes in 65nm CMOS, and one PA using a high-voltage Extended Drain MOS (EDMOS) device, implemented in the same 65 nm CMOS with no process or mask changes. All schematics were created using Cadence Virtuoso CAD tools. The test benches were created using the Agilent's Advance Design System ( ADS) and simulated with the ADS-Cadence dynamic link.

The simulation results show that the EDMOS PA (L=350 nm) has the smallest area, but has harder to reach the required Pout. Cascode no. 3 (L= 500,260 nm) has the best Pout (29.1 dBm) and PAE (49.5 %). Cascode no. 2 (L= 500,350 nm) has the best linearity (low EVM). Cascode no. 1 (L=500,500 nm) has low Pout (27.7 dBm). Cascode no.4 (L=500,60 nm) has very bad linearity.

The thesis also gives an overview for CMOS technology, discusses the most important aspects in RF PAs design, such as Pout, PAE, gain, and matching networks. Different PA classes are also discussed in this thesis.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2013. , s. 78
Nyckelord [en]
RF, Power amplifier, Linearity, PAE, Reliabilty issues, EVM, Cascode, HV-MOS, EDMOS, Matching networks.
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-97753ISRN: LiTH-ISY-EX--13/4715--SEOAI: oai:DiVA.org:liu-97753DiVA, id: diva2:650734
Ämne / kurs
Elektroteknik
Presentation
2013-09-11, Filtret, Linköping University, Linköping, 13:59 (Engelska)
Tillgänglig från: 2013-09-26 Skapad: 2013-09-23 Senast uppdaterad: 2013-09-26Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

A Comparison of EDMOS and Cascode Structures for PA Design in 65 nm CMOS Technology(3346 kB)1184 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 3346 kBChecksumma SHA-512
4625e8050d1b0d2701c296a1faed92ffae07bf86ecef2afda875e9ebe8b9a3560ca666e246461b598792f63003861be9cccc157a856331b8483939650cc28f79
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

http://www.ep.liu.se

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Al-Taie, Mahir Jabbar Rashid
Av organisationen
Elektroniska komponenterTekniska högskolan
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 1186 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 374 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf