liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
In-grown stacking-faults in 4H-SiC epilayers grown on 2 degrees off-cut substrates
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
2015 (Engelska)Ingår i: Physica status solidi. B, Basic research, ISSN 0370-1972, E-ISSN 1521-3951, Vol. 252, nr 6, s. 1319-1324Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

4H-SiC epilayers were grown on 2 degrees off-cut substrates using standard silane/propane chemistry, with the aim of characterizing in-grown stacking faults. The stacking faults were analyzed with low temperature photoluminescence spectroscopy, room temperature photoluminescence mappings, room temperature cathodoluminescence and synchrotron white beam X-ray topography. At least three different types of in-grown stacking faults were observed, including double Shockley stacking faults, triple Shockley stacking faults and bar-shaped stacking faults. Those stacking faults are all previously found in 4 degrees and 8 degrees off-cut epilayers; however, the geometrical size is larger in epilayers grown on 2 degrees off-cut substrates due to lower off-cut angle. The stacking faults were formed close to the epilayer/substrate interface during the epitaxial growth. (C) 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH and Co. KGaA, Weinheim

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
WILEY-V C H VERLAG GMBH , 2015. Vol. 252, nr 6, s. 1319-1324
Nyckelord [en]
chemical vapor deposition; epitaxy; photoluminescence; SiC; stacking faults
Nationell ämneskategori
Kemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-120065DOI: 10.1002/pssb.201451710ISI: 000355756200018OAI: oai:DiVA.org:liu-120065DiVA, id: diva2:839945
Anmärkning

Funding Agencies|Swedish Research Council (VR); Advanced Functional Materials (AFM); Swedish Foundation for Strategic Research (SSF)

Tillgänglig från: 2015-07-06 Skapad: 2015-07-06 Senast uppdaterad: 2017-12-04

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Lilja, LouiseUl-Hassan, JawadJanzén, ErikBergman, Peder

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Lilja, LouiseUl-Hassan, JawadJanzén, ErikBergman, Peder
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska fakulteten
I samma tidskrift
Physica status solidi. B, Basic research
Kemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 94 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf