liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Device applications of epitaxial graphene on silicon carbide
Bulgarian Academic Science, Bulgaria.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0002-2837-3656
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
2016 (Engelska)Ingår i: Vacuum, ISSN 0042-207X, E-ISSN 1879-2715, Vol. 128, s. 186-197Artikel, forskningsöversikt (Refereegranskat) Published
Resurstyp
Text
Abstract [en]

Graphene has become an extremely hot topic due to its intriguing material properties allowing for ground-breaking fundamental research and applications. It is one of the fastest developing materials during the last several years. This progress is also driven by the diversity of fabrication methods for graphene of different specific properties, size, quantity and cost. Graphene grown on SiC is of particular interest due to the possibility to avoid transferring of free standing graphene to a desired substrate while having a large area SiC (semi-insulating or conducting) substrate ready for device processing. Here, we present a review of the major current explorations of graphene on SiC in electronic devices, such as field effect transistors (FET), radio frequency (RF) transistors, integrated circuits (IC), and sensors. The successful role of graphene in the metrology sector is also addressed. Typical examples of graphene on SiC implementations are illustrated and the drawbacks and promises are critically analyzed. (C) 2016 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD , 2016. Vol. 128, s. 186-197
Nyckelord [en]
Graphene FET; RF-transistors; IC; Graphene sensors; Detectors; Quantum Hall resistance
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-129150DOI: 10.1016/j.vacuum.2016.03.027ISI: 000376052500026OAI: oai:DiVA.org:liu-129150DiVA, id: diva2:936056
Anmärkning

Funding Agencies|European Union [604391]; Swedish Research Council [VR 621-2014-5805]; LiU Linnaeus Grant

Tillgänglig från: 2016-06-13 Skapad: 2016-06-13 Senast uppdaterad: 2017-11-28

Open Access i DiVA

fulltext(412 kB)98 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 412 kBChecksumma SHA-512
41236f2f9fdcd0caa75a93bc054244801c95fa03eb9de67e4588c9807236b32daf2d4e68bfd203010efbab251b9d4efdaa3cb941cdd4cf6face43494e9612e56
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Hultman, LarsYakimova, Rositsa

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hultman, LarsYakimova, Rositsa
Av organisationen
TunnfilmsfysikTekniska fakultetenHalvledarmaterial
I samma tidskrift
Vacuum
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 98 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 195 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf