liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
n-Type conductivity bound by the growth temperature: the case of Al0.72Ga0.28N highly doped by silicon
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
University of Cambridge, England.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Visa övriga samt affilieringar
2016 (Engelska)Ingår i: Journal of Materials Chemistry C, ISSN 2050-7526, E-ISSN 2050-7534, Vol. 4, nr 35, s. 8291-8296Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

High-Al-content AlxGa(1-x)N layers, x similar to 0.72, have been grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) at a temperature ranging from 1000 to 1100 degrees C, together with high flow rate of the dopant precursor silane (SiH4) in order to obtain highly Si-doped Al0.72Ga0.28N layers, similar to 1 x 10(19) cm(-3) as measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS). Further characterization of the layers by capacitance-voltage (C-V), electron paramagnetic resonance (EPR), and transmission electron microscopy (TEM) measurements reveals the complex role of growth temperature for the n-type conductivity of high-Al-content AlxGa1-xN. While increasing temperature is essential for reducing the incorporation of carbon and oxygen impurities in the layers, it also reduces the amount of silicon incorporated as a donor.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
ROYAL SOC CHEMISTRY , 2016. Vol. 4, nr 35, s. 8291-8296
Nationell ämneskategori
Materialkemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-131919DOI: 10.1039/c6tc02825jISI: 000382834900018OAI: oai:DiVA.org:liu-131919DiVA, id: diva2:1034814
Anmärkning

Funding Agencies|Linkoping Linnaeus Initiative for Novel Functional Materials (LiLi-NFM, VR); Swedish Governmental Agency for Innovation Systems (VINNOVA); Swedish Research Council (VR)

Tillgänglig från: 2016-10-13 Skapad: 2016-10-11 Senast uppdaterad: 2017-11-29

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kakanakova-Gueorguie, AneliaNilsson, DanielTrinh, Xuan ThangNguyen, Son TienJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska fakulteten
I samma tidskrift
Journal of Materials Chemistry C
Materialkemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 85 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf