liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Phase separation within NiSiN coatings during reactive HiPIMS discharges: A new pathway to grow NixSi nanocrystals composites at low temperature
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Plasma och beläggningsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Plasma och beläggningsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0002-6602-7981
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Plasma och beläggningsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten. Tokyo Metropolitan Univ, Japan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Plasma och beläggningsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0002-1744-7322
Visa övriga samt affilieringar
2018 (Engelska)Ingår i: Applied Surface Science, ISSN 0169-4332, E-ISSN 1873-5584, Vol. 454, s. 148-156Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The precise control of the growth nanostructured thin films at low temperature is critical for the continued development of microelectronic enabled devices. In this study, nanocomposite Ni-Si-N thin films were deposited at low temperature by reactive high-power impulse magnetron sputtering. A composite Ni-Si target (15 at.% Si) in combination with a Ar/N-2 plasma were used to deposit films onto Si(0 01) substrates, without any additional substrate heating or any post-annealing. The films microstructure changes from a polycrystalline to nanocomposite structure when the nitrogen content exceeds 16 at.%. X-ray diffraction and (scanning) transmission electron microscopy analyses reveal that the microstructure consists of nanocrystals, NixSi (x amp;gt; 1) 7-8 nm in size, embedded in an amorphous SiN x matrix. It is proposed that this nanostructure is formed at low temperatures due to the repeated-nucleation of NixSi nanocrystals, the growth of which is restricted by the formation of the SiNx phase. X-ray photoelectron spectroscopy revealed the trace presence of a ternary solid solution mainly induced by the diffusion of Ni into the SiNx matrix. Four-probe electrical measurements reveal all the deposited films are electrically conducing.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
ELSEVIER SCIENCE BV , 2018. Vol. 454, s. 148-156
Nyckelord [en]
Silicon nitride; NiSi nanocrystals; HiPIMS; Nanocomposite
Nationell ämneskategori
Materialkemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-149675DOI: 10.1016/j.apsusc.2018.05.061ISI: 000436944500017OAI: oai:DiVA.org:liu-149675DiVA, id: diva2:1235318
Anmärkning

Funding Agencies|Swedish Government Strategic Research Area in Materials Science on Functional Materials at Linkoping University [2009-00971]; Swedish Research Council [VR 621-2014-4882]

Tillgänglig från: 2018-07-25 Skapad: 2018-07-25 Senast uppdaterad: 2018-07-25

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Keraudy, JulienBoyd, RobertShimizu, TetsuhideHelmersson, Ulf
Av organisationen
Plasma och beläggningsfysikTekniska fakulteten
I samma tidskrift
Applied Surface Science
Materialkemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 141 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf