liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Atomic layer deposition of InN using trimethylindium and ammonia plasma
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0002-1452-4548
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0003-1000-0437
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0002-7171-5383
2019 (Engelska)Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films, ISSN 0734-2101, E-ISSN 1520-8559, Vol. 37, nr 2, artikel-id 020926Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Indium nitride (InN) is a low bandgap, high electron mobility semiconductor material of interest to optoelectronics and telecommunication. Such applications require the deposition of uniform crystalline InN thin films on large area substrates, with deposition temperatures compatible with this temperature-sensitive material. As conventional chemical vapor deposition (CVD) struggles with the low temperature tolerated by the InN crystal, the authors hypothesize that a time-resolved, surface-controlled CVD route could offer a way forward for InN thin film deposition. In this work, the authors report atomic layer deposition of crystalline, wurtzite InN thin films using trimethylindium and ammonia plasma on Si(100). They found a narrow atomic layer deposition window of 240-260 degrees C with a deposition rate of 0.36 A/cycle and that the flow of ammonia into the plasma is an important parameter for the crystalline quality of the film. X-ray diffraction measurements further confirmed the polycrystalline nature of InN thin films. X-ray photoelectron spectroscopy measurements show nearly stoichiometric InN with low carbon level (amp;lt;1 at. %) and oxygen level (amp;lt;5 at. %) in the film bulk. The low carbon level is attributed to a favorable surface chemistry enabled by the NH3 plasma. The film bulk oxygen content is attributed to oxidation upon exposure to air via grain boundary diffusion and possibly by formation of oxygen containing species in the plasma discharge. Published by the AVS.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
American Institute of Physics (AIP), 2019. Vol. 37, nr 2, artikel-id 020926
Nationell ämneskategori
Oorganisk kemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-155541DOI: 10.1116/1.5079279ISI: 000460437200030OAI: oai:DiVA.org:liu-155541DiVA, id: diva2:1299398
Anmärkning

Funding Agencies|Swedish Foundation for Strategic Research through the project "Time-resolved low temperature CVD for III-nitrides" [SSF-RMA 15-0018]; Knut and Alice Wallenberg foundation through the project "Bridging the THz gap" [KAW 2013.0049]; VR [VR 2016-05362]; Carl Trygger Foundation

Tillgänglig från: 2019-03-26 Skapad: 2019-03-26 Senast uppdaterad: 2021-12-29

Open Access i DiVA

fulltext(2230 kB)570 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 2230 kBChecksumma SHA-512
81eb0eff460c263741400a7040d5fd1012edad8e1a7d775cfe63204a0f7c9c1283cc8e275617a0e290a2026831617e9133339f03dd754953706cca9a7d303795
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Person

Deminskyi, PetroRouf, PollaIvanov, Ivan GueorguievPedersen, Henrik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Deminskyi, PetroRouf, PollaIvanov, Ivan GueorguievPedersen, Henrik
Av organisationen
KemiTekniska fakultetenHalvledarmaterial
I samma tidskrift
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films
Oorganisk kemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 572 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 475 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf