liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Surface ligand removal in atomic layer deposition of GaN using triethylgallium
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0002-1452-4548
Visa övriga samt affilieringar
2021 (Engelska)Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films, ISSN 0734-2101, E-ISSN 1520-8559, Vol. 39, nr 1, artikel-id 012411Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Gallium nitride (GaN) is one of the most important semiconductor materials in modern electronics. While GaN films are routinely deposited by chemical vapor deposition at around 1000 degrees C, low-temperature routes for GaN deposition need to be better understood. Herein, we present an atomic layer deposition (ALD) process for GaN-based on triethyl gallium (TEG) and ammonia plasma and show that the process can be improved by adding a reactive pulse, a "B-pulse" between the TEG and ammonia plasma, making it an ABC-type pulsed process. We show that the material quality of the deposited GaN is not affected by the B-pulse, but that the film growth per ALD cycle increases when a B-pulse is added. We suggest that this can be explained by the removal of ethyl ligands from the surface by the B-pulse, enabling a more efficient nitridation by the ammonia plasma. We show that the B-pulsing can be used to enable GaN deposition with a thermal ammonia pulse, albeit of x-ray amorphous films.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
American Institute of Physics (AIP), 2021. Vol. 39, nr 1, artikel-id 012411
Nationell ämneskategori
Oorganisk kemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-173069DOI: 10.1116/6.0000752ISI: 000606527000001Scopus ID: 2-s2.0-85099506350OAI: oai:DiVA.org:liu-173069DiVA, id: diva2:1524248
Anmärkning

Funding Agencies|Swedish Foundation for Strategic Research through the project "Time-resolved low-temperature CVD for III-nitrides" [SSF-RMA 15-0018]; Knut and Alice Wallenberg Foundation through the project "Bridging the THz gap" [KAW 2013.0049]; Carl Trygger Foundation

Tillgänglig från: 2021-02-01 Skapad: 2021-02-01 Senast uppdaterad: 2021-12-29Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(2229 kB)491 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 2229 kBChecksumma SHA-512
b9db80f0b5760af10c9c6464b23d0fe98dd61cf77b06e8f4a9f0106b38fa2ae25eb03549ff883c4916e56f96b34203d61a0d9df40accf7e559618ec27b36d562
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Deminskyi, PetroHsu, Chih-WeiBakhit, BabakRouf, PollaPedersen, Henrik
Av organisationen
KemiTekniska fakultetenHalvledarmaterialTunnfilmsfysik
I samma tidskrift
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films
Oorganisk kemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 491 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 129 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf