liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Time-resolved photoluminescence properties of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor structures grown on 4H-SiC substrate
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-9840-7364
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-2597-3322
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2008 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 104, nr 11, s. 113513-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor heterostructures grown by metal-organic chemical vapor deposition have been studied by temperature dependent time-resolved photoluminescence. The AlGaN-related emission is found to be sensitive to the excitation power and to the built-in internal electric field. In addition, this emission shows a shift to higher energy with the reduction in the excitation density, which is rather unusual. Using a self-consistent calculation of the band potential profile, we suggest a recombination mechanism for the AlGaN-related emission involving electrons confined in the triangular AlGaN quantum well and holes weakly localized due to potential fluctuations.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. Vol. 104, nr 11, s. 113513-
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-16511DOI: 10.1063/1.3028687OAI: oai:DiVA.org:liu-16511DiVA, id: diva2:158117
Anmärkning
Original Publication: Galia Pozina, Carl Hemmingsson, Urban Forsberg, Anders Lundskog, Anelia Kakanakova-Gueorguie, Bo Monemar, Lars Hultman and Erik Janzén , Time-resolved photoluminescence properties of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor structures grown on 4H-SiC substrate, 2008, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, (104), 11, 113513. http://dx.doi.org/10.1063/1.3028687 Copyright: American Institute of Physics http://www.aip.org/ Tillgänglig från: 2009-02-05 Skapad: 2009-01-30 Senast uppdaterad: 2017-12-14Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(864 kB)594 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 864 kBChecksumma SHA-512
6f150fe3b746e3081a837c4dbb637999b33d45bbd0b9b48467455ef420f5563a377eacdc8c04d06bba8fff963a38a1d3e21073b2abe63106ce054722fae01405
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Pozina, GaliaHemmingsson, CarlForsberg, UrbanLundskog, AndersKakanakova-Georgieva, AneliaMonemar, BoHultman, LarsJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Pozina, GaliaHemmingsson, CarlForsberg, UrbanLundskog, AndersKakanakova-Georgieva, AneliaMonemar, BoHultman, LarsJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 594 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 369 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf