liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Free electron behavior in InN: On the role of dislocations and surface electron accumulation
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
University of Nebraska.
University of Nebraska.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-6281-868X
Visa övriga samt affilieringar
2009 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 94, nr 2, s. 022109-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The free electron behavior in InN is studied on the basis of decoupled bulk and surface accumulation electron densities in InN films measured by contactless optical Hall effect. It is shown that the variation in the bulk electron density with film thickness does not follow the models of free electrons generated by dislocation-associated nitrogen vacancies. This finding, further supported by transmission electron microscopy results, indicates the existence of a different thickness-dependent doping mechanism. Furthermore, we observe a noticeable dependence of the surface electron density on the bulk density, which can be exploited for tuning the surface charge in future InN based devices.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2009. Vol. 94, nr 2, s. 022109-
Nyckelord [en]
dislocations, doping, electron density, Hall effect, III-V semiconductors, indium compounds, semiconductor thin films, transmission electron microscopy, vacancies (crystal), wide band gap semiconductors
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-16630DOI: 10.1063/1.3065030OAI: oai:DiVA.org:liu-16630DiVA, id: diva2:159542
Anmärkning
Original Publication: Vanya Darakchieva, T Hofmann, M Schubert, Bo Sernelius, Bo Monemar, Per Persson, Finn Giuliani, E Alves, H Lu and W J Schaff , Free electron behavior in InN: On the role of dislocations and surface electron accumulation, 2009, Applied Physics Letters, (94), 2, 022109. http://dx.doi.org/10.1063/1.3065030 Copyright: American Institute of Physics http://www.aip.org/ Tillgänglig från: 2009-02-08 Skapad: 2009-02-06 Senast uppdaterad: 2017-12-14

Open Access i DiVA

fulltext(250 kB)488 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 250 kBChecksumma SHA-512
6bdd1ab7a15226810d90c98830a9f77b2846ca920605d6d210c81132c26d5beb13c1cd69c4a6ae3485b42dea4be0cfc7fffbef57febb985d35049e1fff652d0d
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Darakchieva, VanyaSernelius, BoMonemar, BoPersson, PerGiuliani, Finn

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Darakchieva, VanyaSernelius, BoMonemar, BoPersson, PerGiuliani, Finn
Av organisationen
MateriefysikTekniska högskolanTeoretisk FysikTunnfilmsfysikInstitutionen för fysik, kemi och biologi
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 488 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 359 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf