liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Thermal atomic layer deposition of In2O3 thin films using a homoleptic indium triazenide precursor and water
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0002-1452-4548
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0003-3633-9674
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Visa övriga samt affilieringar
2022 (Engelska)Ingår i: Dalton Transactions, ISSN 1477-9226, E-ISSN 1477-9234, Vol. 51, nr 12, s. 4712-4719Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Indium oxide (In2O3) is an important transparent conducting material widely used in optoelectronic applications. Herein, we study the deposition of In2O3 by thermal atomic layer deposition (ALD) using our recently reported indium(iii) triazenide precursor and H2O. A temperature interval with self-limiting growth was found between similar to 270 and 385 degrees C with a growth per cycle of similar to 1.0 angstrom. The deposited films were polycrystalline cubic In2O3 with In : O ratios of 1 : 1.2, and low levels of C and no detectable N impurities. The transmittance of the films was found to be >70% in visible light and the resistivity was found to be 0.2 m omega cm. The high growth rates, low impurities, high optical transmittance, and low resistivity of these films give promise to this process being used for ALD of In2O3 films for future microelectronic displays.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Royal Society of Chemistry, 2022. Vol. 51, nr 12, s. 4712-4719
Nationell ämneskategori
Oorganisk kemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-183776DOI: 10.1039/d1dt03748jISI: 000763001500001PubMedID: 35234773OAI: oai:DiVA.org:liu-183776DiVA, id: diva2:1647250
Anmärkning

Funding Agencies|Swedish Foundation for Strategic ResearchSwedish Foundation for Strategic Research [SSF-RMA 15-0018]; Swedish Institute

Tillgänglig från: 2022-03-25 Skapad: 2022-03-25 Senast uppdaterad: 2023-04-13Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(2765 kB)121 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 2765 kBChecksumma SHA-512
011031e1b6513cf5d467a47e30ad78ba7d049baa5512d52c62f857570fdac41b800a30b7b8c311a0a556e7fd224484133918c19822b38faf66628ee76d201af4
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltextPubMed

Person

Rouf, PollaO´brien, NathanForsberg, UrbanPedersen, Henrik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Mpofu, PamburayiRouf, PollaO´brien, NathanForsberg, UrbanPedersen, Henrik
Av organisationen
KemiTekniska fakultetenTunnfilmsfysikHalvledarmaterial
I samma tidskrift
Dalton Transactions
Oorganisk kemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 126 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
pubmed
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
pubmed
urn-nbn
Totalt: 247 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf