liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Reducing Thermal Resistance of AlGaN/GaN Electronic Devices Using Novel Nucleation Layers
University of Bristol.
University of Bristol.
QinetiQ Ltd.
QinetiQ Ltd.
Visa övriga samt affilieringar
2009 (Engelska)Ingår i: IEEE Electron Device Letters, ISSN 0741-3106, E-ISSN 1558-0563, Vol. 30, nr 2, s. 103-106Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Currently, up to 50% of the channel temperature in AlGaN/GaN electronic devices is due to the thermal-boundary resistance (TBR) associated with the nucleation layer (NL) needed between GaN and SiC substrates for high-quality heteroepitaxy. Using 3-D time-resolved Raman thermography, it is shown that modifying the NL used for GaN on SiC epitaxy from the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)-grown standard AIN-NL to a hot-wall MOCVD-grown AIN-NL reduces NL TBR by 25%, resulting in similar to 10% reduction of the operating temperature of AlGaN/GaN HEMTs. Considering the exponential relationship between device lifetime and temperature, lower TBR NLs open new opportunities for improving the reliability of AlGaN/GaN devices.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2009. Vol. 30, nr 2, s. 103-106
Nyckelord [en]
CVD, epitaxial layers, FETs, gallium compounds, MODFETs, resistance heating
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-16864DOI: 10.1109/LED.2008.2010340OAI: oai:DiVA.org:liu-16864DiVA, id: diva2:174412
Tillgänglig från: 2009-02-22 Skapad: 2009-02-20 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Forsberg, UrbanLundskog, AndersKakanakova-Georgieva, AneliaPozina, GaliaJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Forsberg, UrbanLundskog, AndersKakanakova-Georgieva, AneliaPozina, GaliaJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
I samma tidskrift
IEEE Electron Device Letters
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 242 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf