liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Hot-Wall MOCVD for Highly Efficient and Uniform Growth of AIN
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2009 (Engelska)Ingår i: Crystal Growth & Design, ISSN 1528-7483, Vol. 9, nr 2, s. 880-884Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We demonstrated successful growth of AIN at a temperature of 1200 degrees C in a set of hot-wall MOCVD systems with the possibility of straightforward scaling up the process on larger wafer areas to meet the demand of device technologies. We outlined several aspects of the carefully optimized design and process parameters with relevance to achievement of a high overall growth rate (1 and up to 2 mu m/h), efficiency, and uniformity, which to a great extent depends on how consumption of growth-limiting species by gas-phase adduct formation can actively be prevented. Mixing of the precursors upstream from the deposition area facilitates uniform epitaxial growth, while the greater uniformity of substrate temperature inherent to the hot-wall reactor and rotation of the wafer are of fundamental importance for layer-growth uniformity. The AIN layer thickness can be controlled with an accuracy of +/- 1.3% on 2 in. wafers. The low-temperature cathodoluminescence spectrum of the AIN epitaxial material is strongly dominated by the intense near band-gap deep UV emission at about 208 nm.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2009. Vol. 9, nr 2, s. 880-884
Nationell ämneskategori
Medicin och hälsovetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-16875DOI: 10.1021/cg8005663OAI: oai:DiVA.org:liu-16875DiVA, id: diva2:174422
Tillgänglig från: 2009-02-22 Skapad: 2009-02-20 Senast uppdaterad: 2014-09-15

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Kakanakova-Georgieva, AneliaCiechonski, RafalForsberg, UrbanLundskog, AndersJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kakanakova-Georgieva, AneliaCiechonski, RafalForsberg, UrbanLundskog, AndersJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
Medicin och hälsovetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 165 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf