liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Superior material properties of AlN on vicinal 4H-SiC
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.ORCID-id: 0000-0001-9140-6724
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.ORCID-id: 0000-0002-2837-3656
Visa övriga samt affilieringar
2006 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 100, nr 3Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The crystal structure and optical properties of thick (>100 nm) AlN layers grown by hot-wall metalorganic chemical vapor deposition are characterized by infrared spectroscopic ellipsometry, cathodoluminescence, and transmission electron microscopy. The choice of substrates among the available SiC wafer polytype modifications (4H/6H) and misorientations (on-/off-axis cut) is found to determine the AlN defect interaction, stress homogeneity, and luminescence. The growth of thick AlN layers benefits by performing the epitaxy on off-axis substrates because, due to stacking faults, the propagation of threading defects in AlN layers is stopped in a narrow interface region. © 2006 American Institute of Physics.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2006. Vol. 100, nr 3
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-36477DOI: 10.1063/1.2219380Lokalt ID: 31427OAI: oai:DiVA.org:liu-36477DiVA, id: diva2:257325
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Kakanakova-Georgieva, AneliaPersson, PerHultman, LarsJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kakanakova-Georgieva, AneliaPersson, PerHultman, LarsJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterialTunnfilmsfysik
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 189 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf