liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
A surface study of wet etched AlGaN epilayers grown by hot-wall MOCVD
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Visa övriga samt affilieringar
2007 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, Vol. 300, 2007, Vol. 300, nr 1, s. 242-245Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Epitaxial layers of AlGaN were grown by hot-wall MOCVD and their surfaces wet chemically etched with phosphorous acid. The as-grown surfaces and the development of the etched surfaces after 10 and 20 min of etching were studied with atomic force microscopy (AFM) and CL. In the as-grown layers growth features may be resolved while the RMS is as low as 1.4 Å in a scan area of 2×2 μm. Surfaces etched for 10 min had developed etch pits and a low RMS roughness of 7 Å indicating a uniform quality of the layers. Micrometer scale hexagonal features were observed after 20 min of etching. In some cases a deep hexagonal etch pit is observed in the centre of the hexagonal feature with a 30° rotation to each other, suggesting that the origin is substrate-induced defects. © 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2007. Vol. 300, nr 1, s. 242-245
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-38760DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.020Lokalt ID: 45532OAI: oai:DiVA.org:liu-38760DiVA, id: diva2:259609
Konferens
ISGN-1 2006
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2010-12-15

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Syväjärvi, MikaelKakanakova-Georgieva, AneliaYazdi, GholamrezaForsberg, UrbanJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Syväjärvi, MikaelKakanakova-Georgieva, AneliaYazdi, GholamrezaForsberg, UrbanJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 95 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf