liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Uniform hot-wall MOCVD epitaxial growth of 2 inch AlGaN/GaN HEMT structures
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
2007 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, Vol. 300, 2007, Vol. 300, nr 1, s. 100-103Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

The hot-wall metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) concept has been applied to the growth of AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) device heterostructures on 2 inch 4H-SiC wafers. Due to the small vertical and horizontal temperature gradients inherent to the hot-wall MOCVD concept the variations of all properties of a typical HEMT heterostructure are very small over the wafer: GaN buffer layer thickness of 1.83 μm±1%, Al content of the AlxGa1-xN barrier of 27.7±0.1%, AlxGa1-xN barrier thickness of 25 nm±4%, sheet carrier density of 1.05×1013 cm-2±4%, pinch-off voltage of -5.3 V±3%, and sheet resistance of 449 Ω±1%.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2007. Vol. 300, nr 1, s. 100-103
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-38862DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.242Lokalt ID: 45910OAI: oai:DiVA.org:liu-38862DiVA, id: diva2:259711
Konferens
ISGN-1 2006
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2010-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Kakanakova-Georgieva, AneliaForsberg, UrbanIvanov, Ivan GueorguievJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kakanakova-Georgieva, AneliaForsberg, UrbanIvanov, Ivan GueorguievJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 101 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf